Samsung sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt chip nhớ tốc độ cao UFS 3.0 (dùng làm bộ nhớ trong) và RAM chuẩn LPDDR5 để phục vụ cho chiếc flagship tương lai Galaxy S10. Việc sản xuất sẽ diễn ra trong nửa cuối năm 2018, và chắc chắn chiếc flagship con cưng của Samsung không thể không được trang bị các linh kiện mới này.
Nếu được trang bị chuẩn mới nói trên, Galaxy S10 sẽ đem lại hiệu năng tốt hơn rất nhiều so với người tiền nhiệm. Theo lý thuyết, UFS 3.0 sẽ đem lại tốc độ lên tới ~24 Gbps, nhanh hơn gấp đôi những gì mà UFS 2.1 có thể làm được. Còn về chuẩn LPDDR5, hiện tại chưa có một thông số nhất định nào về chuẩn này nhưng trên máy tính DDR5 nhanh hơn DDR4 2 lần và dung lượng cao gấp đôi.
Nhiều thông tin khác cũng cho biết, bộ đôi S10 và S10 sẽ được trang bị máy quét vân tay dưới màn hình, không có thiết kế tai thỏ và sẽ tích hợp một máy quét 3D ở mặt trước để nhận diện khuôn mặt, tương tự như giải pháp của Apple.
Samsung bắt đầu sản xuất chip nhớ UFS 3.0 và RAM LPDDR5, dùng cho Galaxy S10?
Theo: wccftech
Cập nhật công nghệ từ Youtube tại link: https://www.youtube.com/channel/UCOxeYcvZPGf-mGLYSl_1LuA/videos
Để tham gia khóa học công nghệ truy cập link: http://thuvien.hocviendaotao.com
Mọi hỗ trợ về công nghệ email: dinhanhtuan68@gmail.com
